AS6004 Todos los transistores

 

AS6004 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AS6004

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm

Encapsulados: SOT23

 Búsqueda de reemplazo de AS6004 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AS6004 datasheet

 ..1. Size:1719K  anbon
as6004.pdf pdf_icon

AS6004

AS6004 P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Summary V R I (BR)DSS DS(on)MAX D 120m @-10V -60V -4A 170m @-4.5V Feature Application Advanced trench process technology Load Switch for Portable Devices High density cell design for ultra low on-resistance DC/DC Converter Package Circuit diagram SOT-23-3L Marking 60P04Y XXXXX http //www.anbonsemi.com Document I

Otros transistores... AONS66966 , AOSN21319C , AOSS62934 , AON5802 , 2N7002KH , 2N7002KM , AS2310A , 2N7002EY , IRFZ24N , ADG120N080G2 , ADQ120N080G2 , ADW120N080G2 , ASA50R130E , ASA60R090EFD , ASA60R090EFDA , ASA60R150E , .

History: ADQ120N080G2

 

 

 


 
↑ Back to Top
.