ASA60R090EFD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ASA60R090EFD
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 26.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 482 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
Encapsulados: TO220F
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ASA60R090EFD datasheet
asa60r090efd asw60r090efd.pdf
ASA60R090EFD, ASW60R090E ASW60R090EFD MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Soft Switching Boost PFC switch,Half bridge or Asymmetric half bridge or Half bridge or Asymmetric half bridge or Series resonance half bridge and full bridge topologies. phase-shift-bridge(ZVS),LLC Application bridge(ZVS),LLC Application-Server Power, Telecom Power,EV Charging,Solar inverter So
asa60r150e asw60r150e asb60r150e.pdf
ASA60R150E, ASW60R150E, ASB60R150E MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Boost PFC switch, single-ended flyback or two-transistor forward, Half bridge or Asymmetric half bridge or Series resonance half bridge topologies. PC power, Adaptor, LCD & PDP TV,LED Lighting, Server power, Telecom power, and UPS Application. 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.1
asa60r170e.pdf
ASA60R170E MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Boost PFC switch, single-ended flyback or two-transistor forward, HB or AHB or LLC topologies. PC power, Adaptor, LCD & PDP TV, LED Lighting, Server power, Telecom power and UPS application. 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.139 (typ.) Easy to control Gate switching Enhancement mode Vth = 2.8 t
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