ASA60R090EFD - описание и поиск аналогов

 

ASA60R090EFD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ASA60R090EFD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 482 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для ASA60R090EFD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ASA60R090EFD даташит

 ..1. Size:1044K  cn anhi
asa60r090efd asw60r090efd.pdfpdf_icon

ASA60R090EFD

ASA60R090EFD, ASW60R090E ASW60R090EFD MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Soft Switching Boost PFC switch,Half bridge or Asymmetric half bridge or Half bridge or Asymmetric half bridge or Series resonance half bridge and full bridge topologies. phase-shift-bridge(ZVS),LLC Application bridge(ZVS),LLC Application-Server Power, Telecom Power,EV Charging,Solar inverter So

 0.1. Size:907K  cn anhi
asa60r090efda asw60r090efda.pdfpdf_icon

ASA60R090EFD

 8.1. Size:816K  cn anhi
asa60r150e asw60r150e asb60r150e.pdfpdf_icon

ASA60R090EFD

ASA60R150E, ASW60R150E, ASB60R150E MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Boost PFC switch, single-ended flyback or two-transistor forward, Half bridge or Asymmetric half bridge or Series resonance half bridge topologies. PC power, Adaptor, LCD & PDP TV,LED Lighting, Server power, Telecom power, and UPS Application. 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.1

 8.2. Size:1049K  cn anhi
asa60r170e.pdfpdf_icon

ASA60R090EFD

ASA60R170E MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Boost PFC switch, single-ended flyback or two-transistor forward, HB or AHB or LLC topologies. PC power, Adaptor, LCD & PDP TV, LED Lighting, Server power, Telecom power and UPS application. 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.139 (typ.) Easy to control Gate switching Enhancement mode Vth = 2.8 t

Другие MOSFET... 2N7002KM , AS2310A , 2N7002EY , AS6004 , ADG120N080G2 , ADQ120N080G2 , ADW120N080G2 , ASA50R130E , AO3400A , ASA60R090EFDA , ASA60R150E , ASA60R170E , ASA60R210E , ASA60R280E , ASA60R330E , ASA65R120EFD , ASA65R220E .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.