ASM60R330E Todos los transistores

 

ASM60R330E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ASM60R330E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 176 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 59 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.33 Ohm

Encapsulados: DFN8X8

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ASM60R330E datasheet

 ..1. Size:1799K  cn anhi
 asa60r330e asd60r330e asm60r330e.pdf pdf_icon

ASM60R330E

ASA60R330E, ASD60R330E, ASD60R330E, ASM60R330E MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Boost PFC switch,single-ended flyback flyback or two-transistor forward, Half bridge or Asymmetric half bridge bridge or Series resonance half bridge topologies. . PC power, PD Adaptor,LCD & PDP TV, application. & PDP TV, LED Lighting,Server power,UPS application. 2. Features Low drain-

Otros transistores... ASD65R350E , ASD65R550E , ASD65R850E , ASD70R380E , ASD70R600E , ASD70R950E , ASD80R750E , ASE70R950E , 10N60 , ASM65R280E , ASQ65R046EFD , ASR65R046EFD , ASR65R120EFD , ASU65R350E , ASU65R550E , ASU65R850E , ASU70R600E .

History: ASQ65R046EFD

 

 

 

 

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