ASM60R330E - описание и поиск аналогов

 

ASM60R330E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ASM60R330E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 59 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.33 Ohm

Тип корпуса: DFN8X8

Аналог (замена) для ASM60R330E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ASM60R330E даташит

 ..1. Size:1799K  cn anhi
 asa60r330e asd60r330e asm60r330e.pdf pdf_icon

ASM60R330E

ASA60R330E, ASD60R330E, ASD60R330E, ASM60R330E MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Boost PFC switch,single-ended flyback flyback or two-transistor forward, Half bridge or Asymmetric half bridge bridge or Series resonance half bridge topologies. . PC power, PD Adaptor,LCD & PDP TV, application. & PDP TV, LED Lighting,Server power,UPS application. 2. Features Low drain-

Другие MOSFET... ASD65R350E , ASD65R550E , ASD65R850E , ASD70R380E , ASD70R600E , ASD70R950E , ASD80R750E , ASE70R950E , 10N60 , ASM65R280E , ASQ65R046EFD , ASR65R046EFD , ASR65R120EFD , ASU65R350E , ASU65R550E , ASU65R850E , ASU70R600E .

History: ASQ65R046EFD

 

 

 

 

↑ Back to Top
.