AUB062N08BG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AUB062N08BG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 85 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13.7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 674 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0062 Ohm
Encapsulados: TO263
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AUB062N08BG datasheet
aua062n08bg aub062n08bg aup062n08bg aun062n08bg aud062n08bg.pdf
AUA 8BG, AU N08BG, AUP062 G, A062N08 UB062N 2N08BG AUN 8BG, AU N08BG N062N08 UD062N MO con N-Chan OSFET Silic nnel MOS 1. Applicatio ons Synchronou on in SMPS, us rectificatio Hard switch h speed circu hing and High uit DC/DC in te elecoms and inductrial 2. Features Low drain-s sistance RD 6m (typ.) source on-res DS(ON) = 5.6 High speed power switc ching Enhance
aua060n08ag aub060n08ag aup060n08ag aun060n08ag aud060n08ag.pdf
AUA 8AG, AU N08AG, AUP060 G, A060N08 UB060N 0N08AG AUN 8AG, AU N08AG N060N08 UD060N MO con N-Chan OSFET Silic nnel MOS 1. Applicatio ons Synchronou on in SMPS, us rectificatio Hard switch h speed circu hing and High uit DC/DC in te elecoms and inductrial 2. Features Low drain-s sistance RD 6m (typ.) source on-res DS(ON) = 5.6 High speed power switc ching Enhance
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