AUR020N085 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AUR020N085

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 275 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 85 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 195 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3500 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm

Encapsulados: TOLL

 Búsqueda de reemplazo de AUR020N085 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AUR020N085 datasheet

 ..1. Size:946K  cn anhi
 aup026n085 aub026n085 aur020n085.pdf pdf_icon

AUR020N085

AUP026N085, AUB026N085, AUR020N085 MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Synchronous rectification in SMPS, Hard switching and High speed circuit DC/DC in telecoms and industrial 2. Features Low drain-source on-resistance TO220&TO263 RDS(on) = 2.1m (typ.) TOLL-8L RDS(on) = 1.8 m (typ.) High speed power switching Enhanced body diode dv/dt capability Enhanced

 7.1. Size:1123K  cn anhi
 aur020n10 auw025n10.pdf pdf_icon

AUR020N085

AUR020N10, AUW025N10 MOSFET Silicon N-Channel MOS 1. Applications Synchronous rectification in SMPS, Hard switching and High speed circuit DC/DC in telecoms and industrial 2. Features Low drain-source on-resistance RDS(on) TOLL = 1.6m (typ.) RDS(on) TO247 = 2.1m (typ.) High speed power switching Enhanced body diode dv/dt capability Enhanced avalanche ruggedness

Otros transistores... AP220N04T, HYG053N10NS1P, HYG053N10NS1B, AUP060N08AG, AUP062N08BG, AUP065N10, AUP074N10, AUR014N10, K2611