AP4NAR95CMT-A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP4NAR95CMT-A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 45 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1170 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00095 Ohm

Encapsulados: PMPAK5X6

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AP4NAR95CMT-A datasheet

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AP4NAR95CMT-A

AP4NAR95CMT-A Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 45V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.95m Ultra Low On-resistance G RoHS Compliant & Halogen-Free D S D D Description D AP4NAR95 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the low

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