AP4NAR95CMT-A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP4NAR95CMT-A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 45 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00095 Ohm

Тип корпуса: PMPAK5X6

Аналог (замена) для AP4NAR95CMT-A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4NAR95CMT-A даташит

 ..1. Size:223K  ape
 ap4nar95cmt-a.pdf pdf_icon

AP4NAR95CMT-A

AP4NAR95CMT-A Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 45V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.95m Ultra Low On-resistance G RoHS Compliant & Halogen-Free D S D D Description D AP4NAR95 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the low

Другие IGBT... AP12A390YT, AP2P053Y, AP3N5R0MT, AP3N9R5MT, AP3N9R5YT, AP3P020H, AP3P050AH, AP4024GEMT-HF, IRF840