CM3407 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CM3407

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 73 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm

Encapsulados: SOT23

 Búsqueda de reemplazo de CM3407 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

CM3407 datasheet

 ..1. Size:699K  cn appliedpower
 cm3407.pdf pdf_icon

CM3407

CM3407 P-Channel 30V (D-S) Power MOSFET Description Applications CM3407 is the P-Channel enhancement mode power field Cellular Handsets and Accessories effect transistors with high cell density, trench technology. Personal Digital Assistants This high density process and design have been optimized Portable Instrumentation switching performance and especially tai

 9.1. Size:724K  cn appliedpower
 cm3400.pdf pdf_icon

CM3407

CM3400 N-Channel 30V (D-S) Power MOSFET Description Applications CM3400 is the N-Channel enhancement mode power field Cellular Handsets and Accessories effect transistors with high cell density, trench technology. Personal Digital Assistants This high density process and design have been optimized Portable Instrumentation switching performance and especially tai

Otros transistores... AP65SA145DDT8, AP6NA3R2MT, CRTT067N10N, EHBA036R1, FKBB3105, SVF11N65T, SVF11N65F, CM3400, IRLZ44N