AKF30N10S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AKF30N10S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0093 Ohm
Encapsulados: PDFN3333
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AKF30N10S datasheet
akf30n5p0sx.pdf
AKF30N5P0SX 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET General Features RDS(ON) RDS(ON) Low R DS(ON) BVDSS @V =10V @V =4.5V GS GS Low Gate Charge Advanced High Cell Density Trench Technology 30V 3.9m 5.2 m RoHS Compliant Halogen-free available I 59A D 100% Avalanche Tested PDFN3333 Applications High Efficiency DC/DC Con
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