AKF30N10S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AKF30N10S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0093 Ohm

Тип корпуса: PDFN3333

Аналог (замена) для AKF30N10S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AKF30N10S даташит

 ..1. Size:908K  ark-micro
 akf30n10s.pdf pdf_icon

AKF30N10S

 8.1. Size:474K  ark-micro
 akf30n5p0sx.pdf pdf_icon

AKF30N10S

AKF30N5P0SX 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET General Features RDS(ON) RDS(ON) Low R DS(ON) BVDSS @V =10V @V =4.5V GS GS Low Gate Charge Advanced High Cell Density Trench Technology 30V 3.9m 5.2 m RoHS Compliant Halogen-free available I 59A D 100% Avalanche Tested PDFN3333 Applications High Efficiency DC/DC Con

Другие IGBT... EHBA036R1, FKBB3105, SVF11N65T, SVF11N65F, CM3400, CM3407, CM4407, AKF20P45D, IRFP260N