FTE15C35G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FTE15C35G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 350 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3(0.2) A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10(60) nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5.36(6.94) pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 15(30) Ohm

Encapsulados: SOP8

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FTE15C35G datasheet

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FTE15C35G

FTE15C35G 350V N+P Dual Channel MOSFETs General Features Proprietary Advanced Planar Technology BV R (Max.) I DSX DS(ON) D Rugged Polysilicon Gate Cell Structure Fast Switching Speed 350V 15 300mA RoHS Compliant Halogen-free available -350V 30 -200mA SOP-8 D1 D1 D2 D1 Applications D2 D2 Power Management G1 G1 G2 Load Switch S1

Otros transistores... CM3400, CM3407, CM4407, AKF20P45D, AKF30N10S, AKF30N5P0SX, FTE02P15G, FTP02P15G, 10N60