FTE15C35G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FTE15C35G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 350 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3(0.2) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10(60) ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 5.36(6.94) pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 15(30) Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для FTE15C35G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTE15C35G даташит

 ..1. Size:608K  ark-micro
 fte15c35g.pdf pdf_icon

FTE15C35G

FTE15C35G 350V N+P Dual Channel MOSFETs General Features Proprietary Advanced Planar Technology BV R (Max.) I DSX DS(ON) D Rugged Polysilicon Gate Cell Structure Fast Switching Speed 350V 15 300mA RoHS Compliant Halogen-free available -350V 30 -200mA SOP-8 D1 D1 D2 D1 Applications D2 D2 Power Management G1 G1 G2 Load Switch S1

Другие IGBT... CM3400, CM3407, CM4407, AKF20P45D, AKF30N10S, AKF30N5P0SX, FTE02P15G, FTP02P15G, 10N60