FTF15N35D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FTF15N35D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 16 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 350 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5.36 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 15 Ohm

Encapsulados: PDFN3333

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FTF15N35D datasheet

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FTF15N35D

FTF15N35D Dual N-Channel 350V Enhancement Mode MOSFETs General Features Proprietary Advanced Planar Technology BV R (Max.) I DSS DS(ON) D Rugged Polysilicon Gate Cell Structure Fast Switching Speed 350V 15 1A RoHS Compliant Halogen-free available PDFN3333 Applications High Efficiency SMPS Adaptor/Charger Active PFC Ordering Inf

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