FTF15N35D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FTF15N35D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 16 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 350 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 5.36 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 15 Ohm

Тип корпуса: PDFN3333

Аналог (замена) для FTF15N35D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTF15N35D даташит

 ..1. Size:305K  ark-micro
 ftf15n35d.pdf pdf_icon

FTF15N35D

FTF15N35D Dual N-Channel 350V Enhancement Mode MOSFETs General Features Proprietary Advanced Planar Technology BV R (Max.) I DSS DS(ON) D Rugged Polysilicon Gate Cell Structure Fast Switching Speed 350V 15 1A RoHS Compliant Halogen-free available PDFN3333 Applications High Efficiency SMPS Adaptor/Charger Active PFC Ordering Inf

Другие IGBT... CM3407, CM4407, AKF20P45D, AKF30N10S, AKF30N5P0SX, FTE02P15G, FTP02P15G, FTE15C35G, AON6414A