FTF25N35DHVT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FTF25N35DHVT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 16 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 25 Ohm

Encapsulados: PDFN3333

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FTF25N35DHVT datasheet

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FTF25N35DHVT

FTF25N35DHVT Dual N-Channel 250V Enhancement Mode MOSFETs General Features Proprietary Advanced Planar Technology BV R (Max.) I DSS DS(ON) D Rugged Polysilicon Gate Cell Structure Proprietary Advanced High Vth Technology 250V 25 0.9A RoHS Compliant Halogen-free available PDFN3333 Ordering Information Part Number Package Marking Remark FTF25N35

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