FTF25N35DHVT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FTF25N35DHVT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 16 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 25 Ohm

Тип корпуса: PDFN3333

Аналог (замена) для FTF25N35DHVT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTF25N35DHVT даташит

 ..1. Size:297K  ark-micro
 ftf25n35dhvt.pdf pdf_icon

FTF25N35DHVT

FTF25N35DHVT Dual N-Channel 250V Enhancement Mode MOSFETs General Features Proprietary Advanced Planar Technology BV R (Max.) I DSS DS(ON) D Rugged Polysilicon Gate Cell Structure Proprietary Advanced High Vth Technology 250V 25 0.9A RoHS Compliant Halogen-free available PDFN3333 Ordering Information Part Number Package Marking Remark FTF25N35

Другие IGBT... CM4407, AKF20P45D, AKF30N10S, AKF30N5P0SX, FTE02P15G, FTP02P15G, FTE15C35G, FTF15N35D, IRFB4115