CRTT095N12N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CRTT095N12N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 254 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 120 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 112 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 103 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 410 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm

Encapsulados: TO220

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CRTT095N12N datasheet

 ..1. Size:512K  crhj
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CRTT095N12N

CRTT095N12N ( ) Trench N-MOSFET 120V, 7.3m , 112A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced Trench technology 120V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 7.3m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 112A Qualified according to JEDEC criteria 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested Applications 100% Aval

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CRTT095N12N

CRTT067N10N ( ) Trench N-MOSFET 100V, 5.2m , 147A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced Trench technology 100V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 5.2m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 147A Qualified according to JEDEC criteria 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested Applications 100% Aval

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CRTT095N12N

CRTT029N06N ( ) Trench N-MOSFET 60V, 2.3m , 160A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced Trench technology 60V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 2.3m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 160A Qualified according to JEDEC criteria 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested Applications 100% Avalan

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CRTT095N12N

CRTT056N06N ( ) Trench N-MOSFET 60V, 4.2m , 110A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced Trench technology 60V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 4.2m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 110A Qualified according to JEDEC criteria 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested Applications Motor c

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