CRTT095N12N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CRTT095N12N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 254 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 112 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 103 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для CRTT095N12N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CRTT095N12N даташит

 ..1. Size:512K  crhj
 crtt095n12n.pdf pdf_icon

CRTT095N12N

CRTT095N12N ( ) Trench N-MOSFET 120V, 7.3m , 112A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced Trench technology 120V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 7.3m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 112A Qualified according to JEDEC criteria 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested Applications 100% Aval

 9.1. Size:510K  1
 crtt067n10n.pdf pdf_icon

CRTT095N12N

CRTT067N10N ( ) Trench N-MOSFET 100V, 5.2m , 147A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced Trench technology 100V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 5.2m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 147A Qualified according to JEDEC criteria 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested Applications 100% Aval

 9.2. Size:532K  crhj
 crtt029n06n.pdf pdf_icon

CRTT095N12N

CRTT029N06N ( ) Trench N-MOSFET 60V, 2.3m , 160A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced Trench technology 60V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 2.3m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 160A Qualified according to JEDEC criteria 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested Applications 100% Avalan

 9.3. Size:578K  crhj
 crtt056n06n.pdf pdf_icon

CRTT095N12N

CRTT056N06N ( ) Trench N-MOSFET 60V, 4.2m , 110A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced Trench technology 60V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 4.2m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 110A Qualified according to JEDEC criteria 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested Applications Motor c

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... ASDM100R160NKQ, ASDM100R750PKQ, ASDM12N65F, ASDM20N100Q, ASDM20N20KQ, CRJQ80N65F, CRST030N10N, CRSS028N10N, AO3401