ASDM30P100KQ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ASDM30P100KQ  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 109 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 742 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm

Encapsulados: TO252

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ASDM30P100KQ datasheet

 ..1. Size:878K  ascend
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ASDM30P100KQ

ASDM30P100KQ -30V P-Channel MOSFET Product Summary General Features Advanced groove technology is adopted BVDSS -30 V Provide excellent R DS(ON) RDS(on).Typ.@VGS=-10V m 5.0 Low gate charge and operate at low gate voltage Application ID -100 A Lithium battery protection Wireless impact Mobile phone fast charging Schematic diagram TO-252-2L top view

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ASDM30P100KQ

ASDM30P11TD -30V P-Channel MOSFET Product Summary Features Low FOM RDS(on) Qgd 100% avalanche tested V DS -30 V Easy to use/drive RoHS compliant R DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.4 m I D -55 A Application Power Switch Circuit of Adaptor and Charger Battery Protection Charge/Discharge Notebook AC-in Load Switch PDFN3*3-8 Absolute Maximum Ratings TA = 25 u

 6.2. Size:514K  ascend
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ASDM30P100KQ

ASDM30P11TD -30V P-Channel MOSFET Product Summary Features Low FOM RDS(on) Qgd 100% avalanche tested V DS -30 V Easy to use/drive RoHS compliant R DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.4 m I D -55 A Application Power Switch Circuit of Adaptor and Charger Battery Protection Charge/Discharge Notebook AC-in Load Switch PDFN3*3-8 Absolute Maximum Ratings TA = 25 u

 7.1. Size:435K  1
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ASDM30P100KQ

ASDM30P30CTD -30V P-Channel MOSFET Features Product Summary Low RDS(ON) Fast switching V -30 V DSS Green Device Available R 15 m DS(ON)-Typ. Application I -30 A D MB / VGA / Vcore POL Applications DFN3*3-8 P-MOSFET Absolute Maximum Ratings (T =25 C Unless Otherwise Noted) J Symbol Parameter Rating Unit VDSS Drain-Source Voltage -30 V VGSS Gate-

Otros transistores... ASDM30DN30E, ASDM30DN40E, ASDM30N100KQ, ASDM30N120KQ, ASDM30N120Q, ASDM30N150Q, ASDM30N75KQ, ASDM30N90Q, AO3400A