BCT7N65 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BCT7N65  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 33.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 111 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm

Encapsulados: TO220F

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de BCT7N65 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BCT7N65 datasheet

 ..1. Size:1893K  cn shandong baocheng elec
bct7n65 bcd7n65.pdf pdf_icon

BCT7N65

Otros transistores... ASDM30N100KQ, ASDM30N120KQ, ASDM30N120Q, ASDM30N150Q, ASDM30N75KQ, ASDM30N90Q, ASDM30P100KQ, BCT20N65, STP65NF06, BCD7N65, BCT4N65, BCD4N65, BCT12N65, BCD12N65, H50N06, T50N06, BCD80N06