2N6766JTX Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N6766JTX  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 190 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm

Encapsulados: TO204

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2N6766JTX datasheet

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2N6766JTX

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PD - 90338E IRF250 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6766 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6766 THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF MIL-PRF-19500/543] 200V, N-CHANNEL Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF250 200V 0.085 30A The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. TO-3 The efficient geometry and unique

 8.3. Size:64K  omnirel
 2n6764 2n6766 2n6768 2n6770.pdf pdf_icon

2N6766JTX

2N6764, JANTX2N6764, JANTXV2N6764 2N6768, JANTX2N6768, JANTXV2N6768 2N6766, JANTX2N6766, JANTXV2N6766 2N6770, JANTX2N6770, JANTXV2N6770 JANTX, JANTXV POWER MOSFET IN TO-204 PACKAGE, QUALIFIED TO MIL-PRF-19500/543 100V Thru 500V, Up to 38A, N-Channel, Enhancement Mode MOSFET Power Transistor FEATURES Low RDS(on) Ease of Paralleling Qualified to MIL-PRF-19500/543 DESCRIPTION

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