MSH40N032 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MSH40N032  📄📄 

Código: 40N032

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.2 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 22.7 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 899 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0032 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6

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MSH40N032 datasheet

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MSH40N032

MSH40N032 N-Channel 40-V (D-S) MOSFET Description Graphic Symbol The device is using trench DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize R , provide superior switching performance, DS(ON) and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency fast switching applications. T

Otros transistores... MS40P05, MS40P05AU, MS60P03, MSB100N023, MSD40P45, MSD60P16, MSH100N045SA, MSH30P100, IRFP250N