MSH40N032 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MSH40N032  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 899 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MSH40N032

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSH40N032 даташит

 ..1. Size:1514K  bruckewell
 msh40n032.pdf pdf_icon

MSH40N032

MSH40N032 N-Channel 40-V (D-S) MOSFET Description Graphic Symbol The device is using trench DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize R , provide superior switching performance, DS(ON) and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency fast switching applications. T

Другие IGBT... MS40P05, MS40P05AU, MS60P03, MSB100N023, MSD40P45, MSD60P16, MSH100N045SA, MSH30P100, IRFP250N