MSHM60P14 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MSHM60P14 📄📄
Código: 60P14
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34.7 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
Qgⓘ - Carga de la puerta: 16.4 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 97.3 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
Encapsulados: PDFN3.3X3.3
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MSHM60P14 datasheet
mshm60p14.pdf
MSHM60P14 P-Channel 60-V (D-S) MOSFET Description Graphic Symbol The device is using trench DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize R , provide superior switching performance, DS(ON) and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency fast switching applications. F
Otros transistores... MSD40P45, MSD60P16, MSH100N045SA, MSH30P100, MSH40N032, MSH60N35D, MSHM30N46, MSHM40N085, AON7408
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