MSHM60P14 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MSHM60P14  📄📄 

Código: 60P14

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 16.4 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 97.3 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm

Encapsulados: PDFN3.3X3.3

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MSHM60P14 datasheet

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MSHM60P14

MSHM60P14 P-Channel 60-V (D-S) MOSFET Description Graphic Symbol The device is using trench DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize R , provide superior switching performance, DS(ON) and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency fast switching applications. F

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