MSHM60P14 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MSHM60P14  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 97.3 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: PDFN3.3X3.3

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MSHM60P14

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSHM60P14 даташит

 ..1. Size:711K  bruckewell
 mshm60p14.pdf pdf_icon

MSHM60P14

MSHM60P14 P-Channel 60-V (D-S) MOSFET Description Graphic Symbol The device is using trench DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize R , provide superior switching performance, DS(ON) and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency fast switching applications. F

Другие IGBT... MSD40P45, MSD60P16, MSH100N045SA, MSH30P100, MSH40N032, MSH60N35D, MSHM30N46, MSHM40N085, AON7408