CS95118 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CS95118  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 139 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 95 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 118 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 32.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1161 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0063 Ohm

Encapsulados: TO220

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CS95118 datasheet

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CS95118

CS95118 N-Channel Trench Power MOSFET General Description The CS95118 is SGT MOSFET designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low RDS(ON) is suitable for PWM, load switching applications. Features VDS=95V; ID=118A@ VGS=10V; RDS(ON)

Otros transistores... MSQ40P07D, MSQ60P04D, CS40N27, CS48N75A, CS55N50, CS72N12, CS75N45, CS85105A, AON6380