CEM3425 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEM3425  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm

Encapsulados: SO8

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CEM3425 datasheet

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CEM3425

CEM3425 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V, -5.9A, RDS(ON) = 45mW @VGS = -10V. RDS(ON) = 80mW @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D D D D RoHS compliant. 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S S S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless otherwise noted Parame

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CEM3425

CEM3405L P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES -30V, -5.7A, RDS(ON) = 48m @VGS = -10V. RDS(ON) = 62m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 115m @VGS = -2.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). D D D D High power and current handing capability. 8 7 6 5 Lead free product is acquired. Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S S S G

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CEM3425

CEM3407L Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V, -5.1A, RDS(ON) = 48m @VGS = -10V. RDS(ON) = 65m @VGS = -4.5V. RDS(ON) = 115m @VGS = -2.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. D1 D1 D2 D2 8 7 6 5 Surface mount Package. SO-8 1 2 3 4 1 S1 G1 S2 G2

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