DMP2160UFDB MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DMP2160UFDB
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.8 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 632 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
Paquete / Cubierta: UDFN20206
Búsqueda de reemplazo de DMP2160UFDB MOSFET
DMP2160UFDB datasheet
dmp2160ufdb.pdf
DMP2160UFDB DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database. Features Mechanical Data Low On-Resistance Case DFN2020B-6 70m @VGS = -4.5V Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 85m @VGS = -2.5V Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020
dmp2160ufdbq.pdf
DMP2160UFDBQ DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID MAX V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25 C Low Gate Threshold Voltage, -0.9V Max -3.8A 70m @ VGS = -4.5V Fast Switching Speed -20V 85m @ VGS = -2.5V -3.3A Low Input/Output Leakage Low Profile, 0.5mm Max Height Totally Lead-Free & Fully RoHS Compli
dmp2160u.pdf
DMP2160U P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID max V(BR)DSS RDS(ON) max 80 m @ VGS = -4.5V TA = 25 C 100 m @ VGS = -2.5V 80m @ VGS = -4.5V -3.2A 140 m @ VGS = -1.8V -20V Very Low Gate Threshold Voltage VGS(th) 1V 140m @ VGS = -1.8V -2.4A Low Input Capacitance Fast Swit
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Liste
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