DMP21D0UFB Todos los transistores

 

DMP21D0UFB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DMP21D0UFB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.99 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.86 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: X1DFN10063
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

DMP21D0UFB Datasheet (PDF)

 0.1. Size:394K  diodes
 dmp21d0ufb4.pdf pdf_icon

DMP21D0UFB

DMP21D0UFB4 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Footprint of just 0.6mm2 13 times smaller than SOT23 V(BR)DSS RDS(ON) ID @ TA = +25C 0.4mm Profile Ideal for Low Profile Applications -0.77A 495m @ VGS = -4.5V Low Gate Threshold Voltage -20V 690m @ VGS = -2.5V -0.67A Fast Switching Speed ESD Protected

 0.2. Size:1961K  cn tech public
 dmp21d0ufb4-p.pdf pdf_icon

DMP21D0UFB

 5.1. Size:230K  diodes
 dmp21d0ufd.pdf pdf_icon

DMP21D0UFB

A Product Line ofDiodes IncorporatedDMP21D0UFD20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low Gate Threshold Voltage ID max Fast Switching Speed V(BR)DSS RDS(on) Max TA = 25C (Notes 4) ESD Protected Gate 3KV 495m @ VGS = -4.5V -1.14A Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Note 1) Halogen and Antimony Free. G

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History: PSMNR70-40SSH | ZXMS6004DGQ

 

 
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