Справочник MOSFET. DMP21D0UFB

 

DMP21D0UFB MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: DMP21D0UFB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.99 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.7 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.86 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: X1DFN10063

 Аналог (замена) для DMP21D0UFB

 

 

DMP21D0UFB Datasheet (PDF)

 0.1. Size:394K  diodes
 dmp21d0ufb4.pdf

DMP21D0UFB DMP21D0UFB

DMP21D0UFB4 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Footprint of just 0.6mm2 13 times smaller than SOT23 V(BR)DSS RDS(ON) ID @ TA = +25C 0.4mm Profile Ideal for Low Profile Applications -0.77A 495m @ VGS = -4.5V Low Gate Threshold Voltage -20V 690m @ VGS = -2.5V -0.67A Fast Switching Speed ESD Protected

 0.2. Size:1961K  cn tech public
 dmp21d0ufb4-p.pdf

DMP21D0UFB DMP21D0UFB

 5.1. Size:230K  diodes
 dmp21d0ufd.pdf

DMP21D0UFB DMP21D0UFB

A Product Line ofDiodes IncorporatedDMP21D0UFD20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low Gate Threshold Voltage ID max Fast Switching Speed V(BR)DSS RDS(on) Max TA = 25C (Notes 4) ESD Protected Gate 3KV 495m @ VGS = -4.5V -1.14A Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Note 1) Halogen and Antimony Free. G

Другие MOSFET... DMP210DUDJ , DMP210DUFB4 , DMP2123L , DMP2130L , DMP2130LDM , DMP2160U , DMP2160UFDB , DMP2160UW , 7N65 , DMP21D0UFB4 , DMP2215L , DMP2225L , DMP2240UDM , DMP2240UW , DMP22D6UT , DMP2305U , ZXM61P02F .

 

 

Back to Top