2SK679A Todos los transistores

 

2SK679A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK679A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 44 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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2SK679A datasheet

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"2SK674" Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003 "2SK674" Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003

 9.3. Size:61K  inchange semiconductor
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2SK679A

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK672 DESCRIPTION Drain Current ID= 10A@ TC=25 Drain Source Voltage- VDSS= 60V(Min) Fast Switching Speed APPLICATIONS Designed for high Current, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers. ABSOLUTE MAXIMUM RA

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