ZXMP4A16G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ZXMP4A16G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.4 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 13.6 nC
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1007 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ZXMP4A16G

ZXMP4A16G Datasheet (PDF)

..1. Size:271K diodes
zxmp4a16g.pdf

ZXMP4A16G40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYV(BR)DSS = -40V: RDS(on) = 0.060 : ID = -6.4ADESCRIPTIONThis new generation of Trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique structurethat combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. Thismakes them ideal for high efficiency, low voltage, power managementapplications.SOT223FEATURES Low on-resistanc

0.1. Size:270K zetex
zxmp4a16gta.pdf

6.1. Size:576K diodes
zxmp4a16k.pdf

ZXMP4A16K40V P-channel enhancement mode MOSFETSummary V(BR)DSS= -40V; RDS(ON)= 0.060 ID= -9.9ADescription This new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a uniquestructure that combines the benefits of low on-resistance with fastswitching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage,power management applications. Features D Low on-resistance

6.2. Size:574K zetex
zxmp4a16ktc.pdf

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: