2N6766JTXV Todos los transistores

 

2N6766JTXV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N6766JTXV
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 190 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO204
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

2N6766JTXV Datasheet (PDF)

 8.1. Size:142K  1
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2N6766JTXV

 8.2. Size:145K  international rectifier
 2n6766 irf250.pdf pdf_icon

2N6766JTXV

PD - 90338EIRF250REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6766HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6766THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF:MIL-PRF-19500/543]200V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF250 200V 0.085 30AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.TO-3The efficient geometry and unique

 8.3. Size:64K  omnirel
 2n6764 2n6766 2n6768 2n6770.pdf pdf_icon

2N6766JTXV

2N6764, JANTX2N6764, JANTXV2N6764 2N6768, JANTX2N6768, JANTXV2N6768 2N6766, JANTX2N6766, JANTXV2N6766 2N6770, JANTX2N6770, JANTXV2N6770 JANTX, JANTXV POWER MOSFET IN TO-204 PACKAGE,QUALIFIED TO MIL-PRF-19500/543100V Thru 500V, Up to 38A, N-Channel, Enhancement Mode MOSFET Power TransistorFEATURESLow RDS(on)Ease of ParallelingQualified to MIL-PRF-19500/543DESCRIPTION

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History: MSD40P03 | NCE1013E

 

 
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