2N6766JTXV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 2N6766JTXV
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 190 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
Тип корпуса: TO204
Аналог (замена) для 2N6766JTXV
2N6766JTXV Datasheet (PDF)
2n6766 irf250.pdf

PD - 90338EIRF250REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6766HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6766THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF:MIL-PRF-19500/543]200V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF250 200V 0.085 30AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.TO-3The efficient geometry and unique
2n6764 2n6766 2n6768 2n6770.pdf

2N6764, JANTX2N6764, JANTXV2N6764 2N6768, JANTX2N6768, JANTXV2N6768 2N6766, JANTX2N6766, JANTXV2N6766 2N6770, JANTX2N6770, JANTXV2N6770 JANTX, JANTXV POWER MOSFET IN TO-204 PACKAGE,QUALIFIED TO MIL-PRF-19500/543100V Thru 500V, Up to 38A, N-Channel, Enhancement Mode MOSFET Power TransistorFEATURESLow RDS(on)Ease of ParallelingQualified to MIL-PRF-19500/543DESCRIPTION
Другие MOSFET... 2N6764JTX , 2N6764JTXV , 2N6765 , 2N6766 , 2N6766JAN , 2N6766JANTX , 2N6766JANTXV , 2N6766JTX , IRF830 , 2N6767 , 2N6768 , 2N6768JAN , 2N6768JANTX , 2N6768JANTXV , 2N6768JTX , 2N6768JTXV , 2N6769 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH1002YTL | JMSH1002YE | JMSH1002YC | JMSH1002TTL | JMSH1002TE | JMSH1002TC | JMSH1002RE | JMSH1002NTL | JMSH1002NS | JMSH1002NE | JMSH1002NC | JMSH1002BE | JMSH1002BC | JMSH1002ASQ | JMSH1002AS | JMSH1002AEQ
Popular searches
pn2222a datasheet | tip41c transistor | 2n5087 | ksa1381 | bc546 | 2sc458 | a733 transistor | mpsa92