Справочник MOSFET. 2N6766JTXV

 

2N6766JTXV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2N6766JTXV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 115 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 190 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: TO204
 

 Аналог (замена) для 2N6766JTXV

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N6766JTXV Datasheet (PDF)

 8.1. Size:142K  1
 2n6766.pdf pdf_icon

2N6766JTXV

 8.2. Size:145K  international rectifier
 2n6766 irf250.pdf pdf_icon

2N6766JTXV

PD - 90338EIRF250REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6766HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6766THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF:MIL-PRF-19500/543]200V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF250 200V 0.085 30AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.TO-3The efficient geometry and unique

 8.3. Size:64K  omnirel
 2n6764 2n6766 2n6768 2n6770.pdf pdf_icon

2N6766JTXV

2N6764, JANTX2N6764, JANTXV2N6764 2N6768, JANTX2N6768, JANTXV2N6768 2N6766, JANTX2N6766, JANTXV2N6766 2N6770, JANTX2N6770, JANTXV2N6770 JANTX, JANTXV POWER MOSFET IN TO-204 PACKAGE,QUALIFIED TO MIL-PRF-19500/543100V Thru 500V, Up to 38A, N-Channel, Enhancement Mode MOSFET Power TransistorFEATURESLow RDS(on)Ease of ParallelingQualified to MIL-PRF-19500/543DESCRIPTION

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... 2N6764JTX , 2N6764JTXV , 2N6765 , 2N6766 , 2N6766JAN , 2N6766JANTX , 2N6766JANTXV , 2N6766JTX , MMD60R360PRH , 2N6767 , 2N6768 , 2N6768JAN , 2N6768JANTX , 2N6768JANTXV , 2N6768JTX , 2N6768JTXV , 2N6769 .

 

 
Back to Top

 


 
.