ATP207 Todos los transistores

 

ATP207 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ATP207

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 290 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0091 Ohm

Encapsulados: ATPAK

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ATP207 datasheet

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ATP207

ATP207 Ordering number ENA1319A SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP207 Applications Features Low ON-resistance Large current 4.5V drive Slim package Halogen free compliance Protection diode in Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drai

 9.1. Size:267K  sanyo
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ATP207

ATP202 Ordering number ENA1317 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP202 Applications Features Low ON-resistance. Large current. Slim package. 4.5V drive. Halogen free compliance. Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS

 9.2. Size:268K  sanyo
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ATP207

ATP204 Ordering number ENA1551 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP204 Applications Features Low ON-resistance. 4.5V drive. Large current. Slim package. Halogen free compliance. Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS

 9.3. Size:445K  sanyo
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ATP207

ATP208 Ordering number ENA1396A SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP208 Applications Features Low ON-resistance Large current 4.5V drive Slim package Halogen free compliance Protection diode in Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drai

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