ATP212 Todos los transistores

 

ATP212 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ATP212
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   |Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 1.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 34.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: ATPAK
 

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ATP212 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:446K  sanyo
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ATP212

ATP212Ordering number : ENA1507ASANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP212ApplicationsFeatures Low ON-resistance Large current 4V drive Slim package Halogen free compliance Protection diode inSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-

 9.1. Size:476K  sanyo
 atp214.pdf pdf_icon

ATP212

ATP214Ordering number : ENA1712ASANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP214ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=6.2m (typ.) Input Capacitance Ciss=4850pF(typ.) 4V drive Halogen free compliance Protection diode inSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Condit

 9.2. Size:394K  sanyo
 atp216.pdf pdf_icon

ATP212

ATP216Ordering number : EN8985SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP216ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=17m (typ.) Slim package 1.8V drive Halogen free complianceSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 5

 9.3. Size:445K  sanyo
 atp213.pdf pdf_icon

ATP212

ATP213Ordering number : ENA1526ASANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP213ApplicationsFeatures Low ON-resistance Large current 4V drive Slim package Halogen free compliance Protection diode inSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-

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History: IXFM75N10

 

 
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