Справочник MOSFET. ATP212

 

ATP212 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ATP212
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: ATPAK

 Аналог (замена) для ATP212

 

 

ATP212 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:446K  sanyo
 atp212.pdf

ATP212 ATP212

ATP212Ordering number : ENA1507ASANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP212ApplicationsFeatures Low ON-resistance Large current 4V drive Slim package Halogen free compliance Protection diode inSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-

 9.1. Size:476K  sanyo
 atp214.pdf

ATP212 ATP212

ATP214Ordering number : ENA1712ASANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP214ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=6.2m (typ.) Input Capacitance Ciss=4850pF(typ.) 4V drive Halogen free compliance Protection diode inSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Condit

 9.2. Size:394K  sanyo
 atp216.pdf

ATP212 ATP212

ATP216Ordering number : EN8985SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP216ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=17m (typ.) Slim package 1.8V drive Halogen free complianceSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 5

 9.3. Size:445K  sanyo
 atp213.pdf

ATP212 ATP212

ATP213Ordering number : ENA1526ASANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP213ApplicationsFeatures Low ON-resistance Large current 4V drive Slim package Halogen free compliance Protection diode inSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-

 9.4. Size:393K  sanyo
 atp218.pdf

ATP212 ATP212

ATP218Ordering number : EN8970SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP218ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=2.9m (typ.) Input Capacitance Ciss=6600pF(typ.) 2.5V drive Halogen free complianceSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top