ATP218 Todos los transistores

 

ATP218 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ATP218

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 960 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 780 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0038 Ohm

Encapsulados: ATPAK

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ATP218 datasheet

 ..1. Size:393K  sanyo
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ATP218

ATP218 Ordering number EN8970 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP218 Applications Features ON-resistance RDS(on)1=2.9m (typ.) Input Capacitance Ciss=6600pF(typ.) 2.5V drive Halogen free compliance Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-

 9.1. Size:476K  sanyo
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ATP218

ATP214 Ordering number ENA1712A SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP214 Applications Features ON-resistance RDS(on)1=6.2m (typ.) Input Capacitance Ciss=4850pF(typ.) 4V drive Halogen free compliance Protection diode in Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Condit

 9.2. Size:394K  sanyo
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ATP218

ATP216 Ordering number EN8985 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP216 Applications Features ON-resistance RDS(on)1=17m (typ.) Slim package 1.8V drive Halogen free compliance Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 5

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ATP218

ATP212 Ordering number ENA1507A SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP212 Applications Features Low ON-resistance Large current 4V drive Slim package Halogen free compliance Protection diode in Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-

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