Справочник MOSFET. ATP218

 

ATP218 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ATP218
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 960 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 780 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm
   Тип корпуса: ATPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

ATP218 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:393K  sanyo
 atp218.pdf pdf_icon

ATP218

ATP218Ordering number : EN8970SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP218ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=2.9m (typ.) Input Capacitance Ciss=6600pF(typ.) 2.5V drive Halogen free complianceSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-

 9.1. Size:476K  sanyo
 atp214.pdf pdf_icon

ATP218

ATP214Ordering number : ENA1712ASANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP214ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=6.2m (typ.) Input Capacitance Ciss=4850pF(typ.) 4V drive Halogen free compliance Protection diode inSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Condit

 9.2. Size:394K  sanyo
 atp216.pdf pdf_icon

ATP218

ATP216Ordering number : EN8985SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP216ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=17m (typ.) Slim package 1.8V drive Halogen free complianceSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 5

 9.3. Size:446K  sanyo
 atp212.pdf pdf_icon

ATP218

ATP212Ordering number : ENA1507ASANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP212ApplicationsFeatures Low ON-resistance Large current 4V drive Slim package Halogen free compliance Protection diode inSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... ATP204 , ATP206 , ATP207 , ATP208 , ATP212 , ATP213 , ATP214 , ATP216 , RFP50N06 , ATP301 , ATP302 , ATP404 , ATP405 , ATP602 , ATP613 , BBS3002 , BFL4001 .

History: SQJ474EP | STP80NE03L-06

 

 
Back to Top

 


 
.