Справочник MOSFET. ATP218

 

ATP218 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ATP218
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 0.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 70 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 960 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 780 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm
   Тип корпуса: ATPAK
 

 Аналог (замена) для ATP218

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ATP218 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:393K  sanyo
 atp218.pdf pdf_icon

ATP218

ATP218Ordering number : EN8970SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP218ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=2.9m (typ.) Input Capacitance Ciss=6600pF(typ.) 2.5V drive Halogen free complianceSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-

 9.1. Size:476K  sanyo
 atp214.pdf pdf_icon

ATP218

ATP214Ordering number : ENA1712ASANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP214ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=6.2m (typ.) Input Capacitance Ciss=4850pF(typ.) 4V drive Halogen free compliance Protection diode inSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Condit

 9.2. Size:394K  sanyo
 atp216.pdf pdf_icon

ATP218

ATP216Ordering number : EN8985SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP216ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=17m (typ.) Slim package 1.8V drive Halogen free complianceSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 5

 9.3. Size:446K  sanyo
 atp212.pdf pdf_icon

ATP218

ATP212Ordering number : ENA1507ASANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP212ApplicationsFeatures Low ON-resistance Large current 4V drive Slim package Halogen free compliance Protection diode inSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: BLF369 | AO4202 | AUIRLR2703TR

 

 
Back to Top

 


 
.