ATP301 Todos los transistores

 

ATP301 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ATP301
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 130 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
   Paquete / Cubierta: ATPAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

ATP301 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:460K  sanyo
atp301.pdf pdf_icon

ATP301

ATP301Ordering number : ENA1457ASANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP301ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)=57m (typ.) Input capacitance Ciss=4000pF (typ.) 10V drive Halogen free complianceSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-

 ..2. Size:360K  onsemi
atp301.pdf pdf_icon

ATP301

Ordering number : ENA1457AATP301P-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com 100V, 28A, 75m , ATPAKFeatures ON-resistance RDS(on)=57m (typ.) Input capacitance Ciss=4000pF (typ.) 10V drive Halogen free complianceSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --100 VGate-t

 9.1. Size:462K  sanyo
atp302.pdf pdf_icon

ATP301

ATP302Ordering number : ENA1654ASANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP302ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=10m (typ.) Input capacitance Ciss=5400pF (typ.) 4.5V drive Halogen free complianceSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrai

 9.2. Size:355K  onsemi
atp302.pdf pdf_icon

ATP301

Ordering number : ENA1654AATP302P-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com 60V, 70A, 13m , ATPAKFeatures ON-resistance RDS(on)1=10m (typ.) Input capacitance Ciss=5400pF (typ.) 4.5V drive Halogen free complianceSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --60 VGate-t

Otros transistores... ATP206 , ATP207 , ATP208 , ATP212 , ATP213 , ATP214 , ATP216 , ATP218 , AON7506 , ATP302 , ATP404 , ATP405 , ATP602 , ATP613 , BBS3002 , BFL4001 , BFL4004 .

History: QS5U27 | 2SK1336 | VS3618AE | WSD4066DN | AOLF66610 | CSD17310Q5A | AUIRFS8408-7P

 

 
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