ATP301. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: ATP301
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
Тип корпуса: ATPAK
Аналог (замена) для ATP301
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
ATP301 даташит
atp301.pdf
ATP301 Ordering number ENA1457A SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP301 Applications Features ON-resistance RDS(on)=57m (typ.) Input capacitance Ciss=4000pF (typ.) 10V drive Halogen free compliance Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-
atp301.pdf
Ordering number ENA1457A ATP301 P-Channel Power MOSFET http //onsemi.com 100V, 28A, 75m , ATPAK Features ON-resistance RDS(on)=57m (typ.) Input capacitance Ciss=4000pF (typ.) 10V drive Halogen free compliance Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --100 V Gate-t
atp302.pdf
ATP302 Ordering number ENA1654A SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP302 Applications Features ON-resistance RDS(on)1=10m (typ.) Input capacitance Ciss=5400pF (typ.) 4.5V drive Halogen free compliance Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drai
atp302.pdf
Ordering number ENA1654A ATP302 P-Channel Power MOSFET http //onsemi.com 60V, 70A, 13m , ATPAK Features ON-resistance RDS(on)1=10m (typ.) Input capacitance Ciss=5400pF (typ.) 4.5V drive Halogen free compliance Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --60 V Gate-t
Другие MOSFET... ATP206 , ATP207 , ATP208 , ATP212 , ATP213 , ATP214 , ATP216 , ATP218 , 13N50 , ATP302 , ATP404 , ATP405 , ATP602 , ATP613 , BBS3002 , BFL4001 , BFL4004 .
History: ATP201
History: ATP201
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: HAF1008S | HAF1008L | EMZB08P03H | CS30N20FA9R | AOT66613L | AOSP21313C | AOSP21311C | AOB66918L | AO3415C | AOTF20N40L | AOTF11N60L | AOT11N60L | AONS21303C | AOI280A60 | AOB66914L | AO3485C
Popular searches
bc559 equivalent | c2075 transistor | ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243





