ATP301 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: ATP301
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 2 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 73 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
Тип корпуса: ATPAK
Аналог (замена) для ATP301
ATP301 Datasheet (PDF)
atp301.pdf

ATP301Ordering number : ENA1457ASANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP301ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)=57m (typ.) Input capacitance Ciss=4000pF (typ.) 10V drive Halogen free complianceSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-
atp301.pdf

Ordering number : ENA1457AATP301P-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com 100V, 28A, 75m , ATPAKFeatures ON-resistance RDS(on)=57m (typ.) Input capacitance Ciss=4000pF (typ.) 10V drive Halogen free complianceSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --100 VGate-t
atp302.pdf

ATP302Ordering number : ENA1654ASANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP302ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=10m (typ.) Input capacitance Ciss=5400pF (typ.) 4.5V drive Halogen free complianceSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrai
atp302.pdf

Ordering number : ENA1654AATP302P-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com 60V, 70A, 13m , ATPAKFeatures ON-resistance RDS(on)1=10m (typ.) Input capacitance Ciss=5400pF (typ.) 4.5V drive Halogen free complianceSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --60 VGate-t
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFP460 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMPF8N60BJ | JMPF840BJ | JMPF7N65BJ | JMPF630BJ | JMPF5N50BJ | JMPF4N65BJ | JMPF4N60BJ | JMPF25N50BJ | JMPF20N65BJ | JMPF20N60BJ | JMSL0303TU | JMSL0303TG | JMSL0303AU | JMSL0303AK | JMSL0303AG | JMSL0315AK
Popular searches
bc559 equivalent | c2075 transistor | ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243