ATP302 Todos los transistores

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ATP302 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ATP302

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 70 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 70 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.01 Ohm

Empaquetado / Estuche: ATPAK

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ATP302 Datasheet (PDF)

1.1. atp302.pdf Size:462K _sanyo

ATP302
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ATP302 Ordering number : ENA1654A SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP302 Applications Features • ON-resistance RDS(on)1=10m (typ.) • Input capacitance Ciss=5400pF (typ.) Ω • 4.5V drive • Halogen free compliance Specifications at Ta=25°C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drai

5.1. atp301.pdf Size:460K _sanyo

ATP302
ATP302

ATP301 Ordering number : ENA1457A SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP301 Applications Features • ON-resistance RDS(on)=57m (typ.) • Input capacitance Ciss=4000pF (typ.) Ω • 10V drive • Halogen free compliance Specifications at Ta=25°C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-

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