ATP302 Todos los transistores

 

ATP302 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ATP302
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 430 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: ATPAK
 

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Principales características: ATP302

 ..1. Size:462K  sanyo
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ATP302

ATP302 Ordering number ENA1654A SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP302 Applications Features ON-resistance RDS(on)1=10m (typ.) Input capacitance Ciss=5400pF (typ.) 4.5V drive Halogen free compliance Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drai

 ..2. Size:355K  onsemi
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ATP302

Ordering number ENA1654A ATP302 P-Channel Power MOSFET http //onsemi.com 60V, 70A, 13m , ATPAK Features ON-resistance RDS(on)1=10m (typ.) Input capacitance Ciss=5400pF (typ.) 4.5V drive Halogen free compliance Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --60 V Gate-t

 9.1. Size:460K  sanyo
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ATP302

ATP301 Ordering number ENA1457A SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ATP301 Applications Features ON-resistance RDS(on)=57m (typ.) Input capacitance Ciss=4000pF (typ.) 10V drive Halogen free compliance Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-

 9.2. Size:360K  onsemi
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ATP302

Ordering number ENA1457A ATP301 P-Channel Power MOSFET http //onsemi.com 100V, 28A, 75m , ATPAK Features ON-resistance RDS(on)=57m (typ.) Input capacitance Ciss=4000pF (typ.) 10V drive Halogen free compliance Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --100 V Gate-t

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History: OSG70R750DF

 

 
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