Справочник MOSFET. ATP302

 

ATP302 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ATP302
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 430 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: ATPAK

 Аналог (замена) для ATP302

 

 

ATP302 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:462K  sanyo
 atp302.pdf

ATP302 ATP302

ATP302Ordering number : ENA1654ASANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP302ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=10m (typ.) Input capacitance Ciss=5400pF (typ.) 4.5V drive Halogen free complianceSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrai

 ..2. Size:355K  onsemi
 atp302.pdf

ATP302 ATP302

Ordering number : ENA1654AATP302P-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com 60V, 70A, 13m , ATPAKFeatures ON-resistance RDS(on)1=10m (typ.) Input capacitance Ciss=5400pF (typ.) 4.5V drive Halogen free complianceSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --60 VGate-t

 9.1. Size:460K  sanyo
 atp301.pdf

ATP302 ATP302

ATP301Ordering number : ENA1457ASANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceATP301ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)=57m (typ.) Input capacitance Ciss=4000pF (typ.) 10V drive Halogen free complianceSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-

 9.2. Size:360K  onsemi
 atp301.pdf

ATP302 ATP302

Ordering number : ENA1457AATP301P-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com 100V, 28A, 75m , ATPAKFeatures ON-resistance RDS(on)=57m (typ.) Input capacitance Ciss=4000pF (typ.) 10V drive Halogen free complianceSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --100 VGate-t

 9.3. Size:378K  onsemi
 atp304.pdf

ATP302 ATP302

Ordering number : ENA2192 ATP304 P-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com -60V, -100A, 6.5m, ATPAK Features On-resistance RDS(on)1=5.0m(typ.) 4.5V drive Input Capacitance Ciss=13000pF(typ.) Halogen Free compliance Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta = 25C Parameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain to Source Voltage VDSS -60 V Gate to S

Другие MOSFET... ATP207 , ATP208 , ATP212 , ATP213 , ATP214 , ATP216 , ATP218 , ATP301 , 5N60 , ATP404 , ATP405 , ATP602 , ATP613 , BBS3002 , BFL4001 , BFL4004 , BFL4007 .

 

 
Back to Top