BMS4007 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BMS4007
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 180 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 540 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0078 Ohm
Encapsulados: TO220ML
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BMS4007 datasheet
bms4007.pdf
BMS4007 Ordering number ENA1820 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device BMS4007 Applications Features ON-resistance RDS(on)=6m (typ.) Input capacitance Ciss=9700pF (typ.) 10V drive Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 75 V Ga
bms4007.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor BMS4007 FEATURES With TO-220F packaging High speed switching Low gate input resistance Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PAR
bms4003.pdf
BMS4003 Ordering number ENA1923 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device BMS4003 Applications Features ON-resistance RDS(on)=50m (typ.) Input capacitance Ciss=680pF (typ.) 10V drive Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS 100 V G
Otros transistores... ATP613 , BBS3002 , BFL4001 , BFL4004 , BFL4007 , BFL4026 , BFL4036 , BFL4037 , TK10A60D , BS107A , BSS123L , BSS138L , BSS84L , CPH3348 , CPH3351 , CPH3355 , CPH3448 .
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