CPH6350 Todos los transistores

 

CPH6350 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CPH6350
   Código: XC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   |Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 1.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 13 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.043 Ohm
   Paquete / Cubierta: CPH6
 

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CPH6350 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:287K  sanyo
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CPH6350

CPH6350Ordering number : ENA1529SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceCPH6350ApplicationsFeatures 4V drive. Low ON-resistance.Specifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --30 VGate-to-Source Voltage VGSS 20 VDrain Current (DC) ID --

 ..2. Size:293K  onsemi
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CPH6350

Ordering number : ENA1529BCPH6350P-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com 30V, 6A, 43m , Single CPH6Features 4V drive Low ON-resistance Protection diode inSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain to Source Voltage VDSS --30 VGate to Source Voltage VGSS 20 VDrain Current (DC) ID --6 ADrain

 8.1. Size:410K  1
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CPH6350

CPH6354Ordering number : ENA1946SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceCPH6354ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=77m (typ.) 4V drive Halogen free compliance Protection diode inSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VD

 8.2. Size:401K  sanyo
 cph6355.pdf pdf_icon

CPH6350

CPH6355Ordering number : EN8933SANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceCPH6355ApplicationsFeatures ON-resistance RDS(on)1=130m (typ.) 4V drive Halogen free complianceSpecifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --30 VGate-to-Sour

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History: IRFZ48NL

 

 
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