CPH6350 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CPH6350  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.043 Ohm

Тип корпуса: CPH6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CPH6350

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CPH6350 даташит

 ..1. Size:287K  sanyo
cph6350.pdfpdf_icon

CPH6350

CPH6350 Ordering number ENA1529 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device CPH6350 Applications Features 4V drive. Low ON-resistance. Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --30 V Gate-to-Source Voltage VGSS 20 V Drain Current (DC) ID --

 ..2. Size:293K  onsemi
cph6350.pdfpdf_icon

CPH6350

Ordering number ENA1529B CPH6350 P-Channel Power MOSFET http //onsemi.com 30V, 6A, 43m , Single CPH6 Features 4V drive Low ON-resistance Protection diode in Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain to Source Voltage VDSS --30 V Gate to Source Voltage VGSS 20 V Drain Current (DC) ID --6 A Drain

 8.1. Size:410K  1
cph6354.pdfpdf_icon

CPH6350

CPH6354 Ordering number ENA1946 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device CPH6354 Applications Features ON-resistance RDS(on)1=77m (typ.) 4V drive Halogen free compliance Protection diode in Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VD

 8.2. Size:401K  sanyo
cph6355.pdfpdf_icon

CPH6350

CPH6355 Ordering number EN8933 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device CPH6355 Applications Features ON-resistance RDS(on)1=130m (typ.) 4V drive Halogen free compliance Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --30 V Gate-to-Sour

Другие IGBT... CPH3456, CPH3457, CPH5901, CPH5902, CPH5905, CPH6337, CPH6341, CPH6347, AO3407, CPH6442, CPH6443, CPH6444, CPH6445, EC3A03B, EC3A04B, EC4401C, ECH8308