ECH8309 Todos los transistores

 

ECH8309 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ECH8309

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 540 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm

Encapsulados: ECH8

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ECH8309 datasheet

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ECH8309

ECH8309 Ordering number ENA1418A SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ECH8309 Applications Features 1.8V drive. Halogen free compliance. Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --12 V Gate-to-Source Voltage VGSS 10 V Drain Current (

 ..2. Size:302K  onsemi
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ECH8309

Ordering number ENA1418B ECH8309 P-Channel Power MOSFET http //onsemi.com 12V, 9.5A, 16m , Single ECH8 Features 1.8V drive Halogen free compliance Protection diode in Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --12 V Gate-to-Source Voltage VGSS 10 V Drain Current (DC) ID --9

 8.1. Size:35K  sanyo
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ECH8309

Ordering number ENN8247 ECH8302 P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ECH8302 Applications Features Low ON-resistance. 4V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --30 V Gate-to-Source Voltage VGSS 20 V Drain Current (DC) ID --7 A Drain Current (Pulse) IDP PW

 8.2. Size:36K  sanyo
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ECH8309

Ordering number ENN8255 ECH8304 P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ECH8304 Applications Features Best suited for load switching. Low ON-resistance. 1.8V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --12 V Gate-to-Source Voltage VGSS 9 V Drain Current (DC) ID

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