Справочник MOSFET. ECH8309

 

ECH8309 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ECH8309
   Маркировка: JL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 0.4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 18 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 540 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: ECH8
 

 Аналог (замена) для ECH8309

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ECH8309 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:285K  sanyo
 ech8309.pdf pdf_icon

ECH8309

ECH8309Ordering number : ENA1418ASANYO SemiconductorsDATA SHEETP-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceECH8309ApplicationsFeatures 1.8V drive. Halogen free compliance.Specifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --12 VGate-to-Source Voltage VGSS 10 VDrain Current (

 ..2. Size:302K  onsemi
 ech8309.pdf pdf_icon

ECH8309

Ordering number : ENA1418BECH8309P-Channel Power MOSFEThttp://onsemi.com 12V, 9.5A, 16m , Single ECH8Features 1.8V drive Halogen free compliance Protection diode inSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --12 VGate-to-Source Voltage VGSS 10 VDrain Current (DC) ID --9

 8.1. Size:35K  sanyo
 ech8302.pdf pdf_icon

ECH8309

Ordering number : ENN8247ECH8302P-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceECH8302ApplicationsFeatures Low ON-resistance. 4V drive.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --30 VGate-to-Source Voltage VGSS 20 VDrain Current (DC) ID --7 ADrain Current (Pulse) IDP PW

 8.2. Size:36K  sanyo
 ech8304.pdf pdf_icon

ECH8309

Ordering number : ENN8255ECH8304P-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceECH8304ApplicationsFeatures Best suited for load switching. Low ON-resistance. 1.8V drive.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Source Voltage VDSS --12 VGate-to-Source Voltage VGSS 9 VDrain Current (DC) ID

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CPH6442 , CPH6443 , CPH6444 , CPH6445 , EC3A03B , EC3A04B , EC4401C , ECH8308 , RU7088R , ECH8310 , ECH8315 , ECH8320 , ECH8410 , ECH8419 , ECH8601M , ECH8602M , ECH8649 .

History: NDD03N50Z | FDPF5N50T

 

 
Back to Top

 


 
.